Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IPD60R600PFD7SAUMA1

Name: Infineon IPD60R600PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R600PFD7SAU
Price: 1.11 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IPD60R600PFD7SAU

Mfr. #:

IPD60R600PFD7SAUMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs CONSUMER

Duomenų Lapas:

IPD60R600PFD7SAUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IPD60R600PFD7SAUMA1

Prieinamumas: 3 828

Turime sandėlyje:: 3 828 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 4 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,11 €	1,11 €
	0,697 €	6,97 €
	0,461 €	46,10 €
	0,359 €	179,50 €
	0,326 €	326,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,287 €	717,50 €
	0,281 €	1 405,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DPAK-3 (TO-252-3)
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	4.7 A
RDS On - Drain-Source Varža:	1.978 Ohms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	6 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	26 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gamybos šalis:	CN
Distribucijos šalis:	DE
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	50 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	9 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	42 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	7.7 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IPD60R600PFD7S SP005353996
Vieneto Svoris:	330 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IPD60R600PFD7SAUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Models

IPD60R600PFD7SAUMA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.