IPB120P04P404ATMA2

Infineon Technologies
726-IPB120P04P404ATM
IPB120P04P404ATMA2

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 5 931

Turime sandėlyje:
5 931 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
9 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,16 € 3,16 €
2,06 € 20,60 €
1,44 € 144,00 €
1,27 € 635,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
1,19 € 1 190,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-3
P-Channel
1 Channel
40 V
120 A
2.9 mOhms
- 16 V, 5 V
3 V
158 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: AT
Rudens laikas: 52 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 20 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 49 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 30 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 P-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IPB120P04P4-04 SP002325758 IPB120P04P404ATMA1 SP000842270
Vieneto Svoris: 324 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.