Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IMBG120R012M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R012M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R012M2HXT
Price: 19.6 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IMBG120R012M2HXT

Mfr. #:

IMBG120R012M2HXTMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Duomenų Lapas:

IMBG120R012M2HXTMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IMBG120R012M2HXTMA1

Prieinamumas: 1 149

Turime sandėlyje:: 1 149 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 5 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	19,60 €	19,60 €
	14,28 €	142,80 €
	14,11 €	1 411,00 €
	14,10 €	7 050,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	12,94 €	12 940,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TO-263-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	144 A
RDS On - Drain-Source Varža:	12.2 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.1 V
Qg – vartų krūvis:	124 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	600 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gamybos šalis:	MY
Distribucijos šalis:	AT
Kilmės šalis:	AT
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IMBG120R012M2H -

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IMBG120R012M2HXTMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs allow an excellent level of SiC performance while fulfilling the highest quality standards in all common power scheme combinations (AC-DC, DC-DC, and DC-AC). SiC MOSFETs offer additional performance for photovoltaic inverters, energy storage systems, EV charging, power supplies, and motor drives, compared to Si alternatives. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs further advance the unique XT interconnection technology (e.g., in discrete housings TO-263-7, TO-247-4) that overcomes the common challenge of improving semiconductor chip performance while maintaining thermal capability. The G2 thermal capability is 12% better, boosting the chip figures-of-merit to a robust level of SiC performance.

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.