Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IDH06SG60CXKSA2

Name: Infineon IDH06SG60CXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH06SG60CXKSA2
Price: 3.35 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IDH06SG60CXKSA2

Mfr. #:

IDH06SG60CXKSA2

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES

Duomenų Lapas:

IDH06SG60CXKSA2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IDH06SG60CXKSA2

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 1 182

Tikėtina 2026-03-23

3 000

Tikėtina 2026-03-26
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,35 €	3,35 €
	1,70 €	17,00 €
	1,55 €	155,00 €
	1,29 €	645,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	6 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	600 V
Vf - tiesioginė įtampa:	2.1 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	32 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	500 nA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	XDH06SG60
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	AT
Pd - skaidos galia:	71 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	500
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Vr - atvirkštinė įtampa:	600 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IDH06SG60C SP001632400
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IDH06SG60CXKSA2 Duomenų Lapas (PDF)

Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model SiC Diodes CoolSiC™ PSpice Generation 3 600V IDDxxSG60C IDHxxSG60C (Zip)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs & Diodes

Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

600V CoolSiC™ Schottky Diodes

Infineon 600V CoolSiC™ Schottky Diodes feature low device capacitance for any given current rating, which further enhances overall system efficiency, especially at higher switching frequencies and under low load conditions. These devices are available in the TO-220 and D²PAK packages. The small form factor of the DPAK makes it particularly interesting for high-power density surface mount designs. The introduction of the DPAK further extends Infineon's product offering to account for different customer needs.