Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

FZ2000R33HE4BOSA1

Name: Infineon FZ2000R33HE4BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FZ2000R33HE4BOSA
Price: 2307.23 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser #:

726-FZ2000R33HE4BOSA

Mfr. #:

FZ2000R33HE4BOSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

Igbt Moduliai IHV IHM T

Duomenų Lapas:

FZ2000R33HE4BOSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2 307,23 €	2 307,23 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	Igbt Moduliai
RoHS:
Gaminys:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	3.3 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	2.2 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	2 kA
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	400 nA
Pd - skaidos galia:	4.2 MW
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	AT
Gaminio tipas:	IGBT Modules
Serija:	Trenchstop IGBT4 - E4
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	IGBTs
Technologijos:	Si
Prekinis pavadinimas:	TRENCHSTOP
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	FZ2000R33HE4 SP003062218

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FZ2000R33HE4BOSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FZ2000R33HE4 & FZ1400R33HE4 3300V IGBT Modules

Infineon Technologies FZ2000R33HE4 and FZ1400R33HE4 3300V Single-Switch IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodes. Insulated-gate bipolar transistors are three-terminal power semiconductor devices used as electronic switches to combine high efficiency and fast switching. FZ2000R33HE4 is a 2000A 190mm single-switch module. FZ1400R33HE4 is a 1400A 130mm single-switch module. The devices offer high short-circuit capability and current density with low switching losses. Applications include high-power converters, medium-voltage converters, and motor and traction drives.