AIMBG75R060M1HXTMA1

Name: Infineon AIMBG75R060M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMBG75R060M1HXT
Price: 8.51 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-AIMBG75R060M1HXT

Mfr. #:

AIMBG75R060M1HXTMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 830 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TO-263-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	750 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	34 A
RDS On - Drain-Source Varža:	55 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.6 V
Qg – vartų krūvis:	23 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	167 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	8 ns
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	8 ns
Serija:	750V G1
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	14 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	7 ns
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	AIMBG75R060M1H SP005596199