Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

IXTQ180N10T

Name: IXYS IXTQ180N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ180N10T
Price: 3.15 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXTQ180N10T

Mfr. #:

IXTQ180N10T

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

Duomenų Lapas:

IXTQ180N10T Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXTQ180N10T

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 23 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 300 Užsakoma po 30

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,15 €	945,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-3P-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	180 A
RDS On - Drain-Source Varža:	6.4 mOhms
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	480 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	HiPerFET
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Rudens laikas:	31 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	54 ns
Serija:	IXTQ180N10
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	42 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	33 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	5,500 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXTQ180N10T Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.