IXTP1R4N100P

Name: IXYS IXTP1R4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP1R4N100P
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXTP1R4N100P

Mfr. #:

IXTP1R4N100P

Gam.:

IXYS

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 291 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 32 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	1.4 A
RDS On - Drain-Source Varža:	11 Ohms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	17.8 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	63 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Rudens laikas:	28 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	35 ns
Serija:	IXTP1R4N100
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	65 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	25 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	2 g