Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

IXFN80N50Q3

Name: IXYS IXFN80N50Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N50Q3
Price: 43.56 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXFN80N50Q3

Mfr. #:

IXFN80N50Q3

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

MOSFET moduliai Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A

Duomenų Lapas:

IXFN80N50Q3 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXFN80N50Q3

Prieinamumas: 203

Turime sandėlyje:: 203 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	43,56 €	43,56 €
	37,64 €	376,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SOT-227-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	500 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	63 A
RDS On - Drain-Source Varža:	65 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, + 30 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	780 W
Serija:	HiPerFET
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	250 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Prekinis pavadinimas:	HiPerFET
Vieneto Svoris:	30 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXFN80N50Q3 Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs

IXYS Q3-Class HiperFET™ Power MOSFETs provide the end-user with a broad range of devices with exceptional power-switching performance. They also offer excellent thermal characteristics, enhanced device ruggedness, and high energy efficiency. These MOSFETs come with drain-to-source voltage ratings of 200V to 1000V and drain current ratings of 10A to 100A. These features make the Q3-Class an optimized combination of low on-state resistance (R_dson) and gate charge (Q_g), substantially reducing the device's conduction and switching loss. Power switching capabilities and device ruggedness are further enhanced by utilizing the HiperFET process. This process yields a device with a fast intrinsic rectifier, which provides for a low reverse recovery charge (Q_rr) while enhancing the device's commutating dv/dt ratings (up to 50V/ns).