Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

IXFN60N80P

Name: IXYS IXFN60N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN60N80P
Price: 43.83 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXFN60N80P

Mfr. #:

IXFN60N80P

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

MOSFET moduliai DIODE Id54 BVdass800

Duomenų Lapas:

IXFN60N80P Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXFN60N80P

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 300

Tikėtina 2026-08-31

310

Tikėtina 2026-10-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	43,83 €	43,83 €
	37,38 €	373,80 €
	32,70 €	3 270,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SOT-227-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	800 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	53 A
RDS On - Drain-Source Varža:	140 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, + 30 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	1.04 mW
Serija:	IXFN60N80
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Rudens laikas:	26 ns
Aukštis:	9.6 mm
Ilgis:	38.23 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	29 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	HiperFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	110 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	36 ns
Prekinis pavadinimas:	HiPerFET
Plotis:	25.42 mm
Vieneto Svoris:	30 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXFN60N80P Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504901900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.