Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

IXFN38N100P

Name: IXYS IXFN38N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN38N100P
Price: 42.16 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXFN38N100P

Mfr. #:

IXFN38N100P

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

MOSFET moduliai 38 Amps 1000V

Duomenų Lapas:

IXFN38N100P Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXFN38N100P

Prieinamumas: 420

Turime sandėlyje:: 420 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 43 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	42,16 €	42,16 €
	32,97 €	329,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SOT-227-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	38 A
RDS On - Drain-Source Varža:	210 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, + 30 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	1 kW
Serija:	IXFN38N100
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Rudens laikas:	40 ns
Aukštis:	9.6 mm
Ilgis:	38.23 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	55 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	HiperFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	71 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	74 ns
Prekinis pavadinimas:	HiPerFET
Plotis:	25.42 mm
Vieneto Svoris:	30 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXFN38N100P Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.