IXFN210N20P

IXYS
747-IXFN210N20P
IXFN210N20P

Gam.:

Aprašymas:
MOSFET moduliai 188 Amps 200V 0.0105 Rds

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 496

Turime sandėlyje:
1 496
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
330
Tikėtina 2026-06-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
39,77 € 39,77 €
30,68 € 306,80 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
IXYS
Gaminio kategorija: MOSFET moduliai
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
200 V
188 A
10.5 mOhms
- 20 V, + 20 V
- 55 C
+ 175 C
1.07 kW
HiPerFET
Tube
Prekės Ženklas: IXYS
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: KR
Kilmės šalis: KR
Gaminio tipas: MOSFET Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis: 10
Subkategorija: Discrete and Power Modules
Tipas: HiperFET
Prekinis pavadinimas: HiPerFET
Vieneto Svoris: 30 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.