IXFK64N60P3

IXYS
747-IXFK64N60P3
IXFK64N60P3

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie IXYS IXFK64N60P3

Prieinamumas: 714

Turime sandėlyje:
714
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
25
Tikėtina 2026-04-06
925
Tikėtina 2026-05-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
37
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
17,05 € 17,05 €
12,74 € 127,40 €
11,01 € 1 101,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
IXYS
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
600 V
64 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
145 nC
- 55 C
+ 150 C
1.13 kW
Enhancement
HiPerFET
Tube
Prekės Ženklas: IXYS
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: PH
Rudens laikas: 11 ns
Tiesioginis laidumas - min: 60 S, 36 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 17 ns
Serija: IXFK64N60
Gamyklinės pakuotės kiekis: 25
Subkategorija: Transistors
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 10 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.