IXFH58N20

IXYS
747-IXFH58N20
IXFH58N20

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 200V 58A

Eksploatacijos Laikotarpis:
NRND:
Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
4 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 300   Užsakoma po 30
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
9,03 € 2 709,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
IXYS
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
58 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Prekės Ženklas: IXYS
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: KR
Rudens laikas: 16 ns
Tiesioginis laidumas - min: 32 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 15 ns
Serija: HiPerFET
Gamyklinės pakuotės kiekis: 30
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 72 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 18 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 6 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99