IS43R16160D-6TLI

ISSI
870-IS43R16160D-6TLI
IS43R16160D-6TLI

Gam.:

Aprašymas:
DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM

Eksploatacijos Laikotarpis:
Specialus užsakymas gamykloje:
Gaukite pasiūlymą, kad patikrintumėte esamą kainą, užsakymo įvykdymo laiką ir užsakymo reikalavimus gamintojui.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 349

Turime sandėlyje:
349 Galime išsiųsti iš karto
Didesniam nei 349 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
7,82 € 7,82 €
7,28 € 72,80 €
7,05 € 176,25 €
6,88 € 344,00 €
6,72 € 725,76 €

Galimas Pakeitimas

ISSI IS43R16160F-6TLI
ISSI
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ISSI
Gaminio kategorija: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
256 Mbit
16 bit
166 MHz
TSOP-II-66
16 M x 16
6 ns
2.3 V
2.7 V
- 40 C
+ 85 C
IS43R16160D
Tray
Prekės Ženklas: ISSI
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 108
Subkategorija: Memory & Data Storage
Maitinimo Srovė - Maks.: 280 mA
Vieneto Svoris: 2,188 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Taivanas
Šalis gali keistis siuntimo metu.

DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.