IS43QR16512A-083TBLI

ISSI
870-IS43QR165183TBLI
IS43QR16512A-083TBLI

Gam.:

Aprašymas:
DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Pagal užsakymą:
923
Tikėtina 2026-10-16
2 448
952
Tikėtina 2027-03-18
1 496
TBD
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
42,29 € 42,29 €
40,02 € 400,20 €
39,15 € 978,75 €
38,49 € 1 924,50 €
37,55 € 3 755,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ISSI
Gaminio kategorija: DRAM
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.2 GHz
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 95 C
Prekės Ženklas: ISSI
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 136
Subkategorija: Memory & Data Storage
Maitinimo Srovė - Maks.: 192 mA
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Taivanas
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Taivanas
Šalis gali keistis siuntimo metu.

8GB DDR4 SDRAM

ISSI 8GB DDR4 SDRAM are high-speed dynamic random-access memory devices with data transfer rates up to 3200Mbps. The 8GB DDR4 SDRAM is internally organized with eight banks. Two configurations are available: either two bank groups, each with four banks for x16, or four bank groups, each with four banks for x8. The DDR4 SDRAM uses an 8n prefetch architecture to achieve high-speed operation. The 8n prefetch architecture combines an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the ISSI DDR4 SDRAM consists of a single 8n-bit wide, four-clock data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit wide, one-half clock cycle data transfers at the I/O pins.

DDR4 DRAM

ISSI DDR4 DRAM is a high-speed dynamic random-access memory device internally organized with an eight-bank setup. Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random Access Memory banks are organized into two groups, each with four DRAM banks. DDR4 SDRAM uses an 8n prefetch architecture to achieve high-speed operation. ISSI 4GB DDR4 SDRAM devices deliver high-speed data transfer rates up to 2666Mbps, making them ideal for telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.