IS29GL256-70DLEB

ISSI
870-IS29GL256-70DLEB
IS29GL256-70DLEB

Gam.:

Aprašymas:
NOR Blykstė 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 536

Turime sandėlyje:
536 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1   Maks. 200
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
7,38 € 7,38 €
6,86 € 68,60 €
6,66 € 166,50 €
6,63 € 331,50 €
6,47 € 647,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
7,40 €
Min.:
1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ISSI
Gaminio kategorija: NOR Blykstė
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-64
IS29GL256
256 Mbit
2.7 V
3.6 V
45 mA
Parallel
32 M x 8/16 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 105 C
Prekės Ženklas: ISSI
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: TW
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: NOR Flash
Greitis: 70 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 260
Subkategorija: Memory & Data Storage
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices

ISSI IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The ISSI IS29GL256 devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.