MWT-PH9F

CML Micro
938-MWT-PH9F
MWT-PH9F

Gam.:

Aprašymas:
RD MOSFET tranzistoriai Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 100

Turime sandėlyje:
100 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 100 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 10   Užsakoma po 10
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
61,72 € 617,20 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
CML Micro
Gaminio kategorija: RD MOSFET tranzistoriai
RoHS:  
GaAs
180 mA to 220 mA
7.5 V
26 GHz
13 dB
28 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Prekės Ženklas: CML Micro
Gaminio tipas: RF MOSFET Transistors
Serija: MWT
Gamyklinės pakuotės kiekis: 10
Subkategorija: MOSFETs
Prekinis pavadinimas: MWT-PH9F
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541210040
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.