ADPA1112AEJZ

Analog Devices
584-ADPA1112AEJZ
ADPA1112AEJZ

Gam.:

Aprašymas:
RF Stiprintuvas 1-22GHz 15W PA

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas: 8

Turime sandėlyje:
8 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1 017,49 € 1 017,49 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Analog Devices Inc.
Gaminio kategorija: RF Stiprintuvas
Siuntimo apribojimai:
 Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:  
1 GHz to 22 GHz
28 V
23 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
LDCC-14
GaN
46 dBm
- 40 C
+ 85 C
ADPA1112
Tray
Prekės Ženklas: Analog Devices
Gamybos šalis: US
Distribucijos šalis: US
Kilmės šalis: US
Įvesties Grįžtamieji Nuostoliai: 10 dB
Kanalų skaičius: 1 Channel
Pd - skaidos galia: 56.9 W
Gaminio tipas: RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis: 136
Subkategorija: Wireless & RF Integrated Circuits
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.c

ADPA1112 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1112 Gallium Nitride (GaN) Power Amplifiers are 15W, 1GHz to 22GHz wideband power amplifiers. The ADI ADPA1112 amplifiers feature a saturated output power (POUT) of 42dBm, power added efficiency (PAE) of 25%, and a power gain of 14dB typical from 8GHz to 16GHz at input power (PIN) of 28.0dBm. The RF input and RF output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage (VDD) of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set by applying a negative voltage to the VGG1 pin. A temperature-compensated RF detector is integrated, allowing monitoring of the RF output power. These GaN-processed devices operate within a -40°C to +85°C range.