AS4C32M16D2C-25BINTR

Alliance Memory
913-C32M16D2C25BINTR
AS4C32M16D2C-25BINTR

Gam.:

Aprašymas:
DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 2500   Užsakoma po 2500
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
2,67 € 6 675,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Alliance Memory
Gaminio kategorija: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR2
512 Mbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
32 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
- 40 C
+ 95 C
Reel
Prekės Ženklas: Alliance Memory
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Memory & Data Storage
Maitinimo Srovė - Maks.: 75 mA
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.