AS4C16M16MSA-6BINTR

Alliance Memory
913-A4C16M16MSA6BINT
AS4C16M16MSA-6BINTR

Gam.:

Aprašymas:
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1000   Užsakoma po 1000
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
5,43 € 5 430,00 €
5,33 € 10 660,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Tray
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
8,75 €
Min.:
1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Alliance Memory
Gaminio kategorija: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile
256 Mbit
16 bit
166 MHz
FBGA-54
16 M x 16
6 ns
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C16M16MSA-6
Reel
Prekės Ženklas: Alliance Memory
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Memory & Data Storage
Maitinimo Srovė - Maks.: 80 mA
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.