IPW60R024CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R024CFD7XKS
IPW60R024CFD7XKSA1

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 178

Turime sandėlyje:
178
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240
Tikėtina 2026-02-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
11,52 € 11,52 €
6,92 € 173,00 €
6,02 € 602,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
183 nC
- 55 C
+ 150 C
320 W
Enhancement
Tube
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Configuration: Single
Gaminio tipas: MOSFETs
Serija: IPW60R024CFD7
Gamyklinės pakuotės kiekis: 240
Subkategorija: Transistors
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IPW60R024CFD7 SP002621050
Vieneto Svoris: 6 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.