Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

1EDB9275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB9275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB9275FXUMA1
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-1EDB9275FXUMA1

Mfr. #:

1EDB9275FXUMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER

Duomenų Lapas:

1EDB9275FXUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies 1EDB9275FXUMA1

Prieinamumas: 1 936

Turime sandėlyje:: 1 936 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 39 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,38 €	1,38 €
	1,04 €	10,40 €
	0,937 €	23,43 €
	0,851 €	85,10 €
	0,803 €	200,75 €
	0,74 €	370,00 €
	0,723 €	723,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,606 €	1 515,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	Gate Tvarkyklės
RoHS:
Gaminys:	Isolated Gate Drivers
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Vairuotojų skaičius:	1 Driver
Išėjimų skaičius:	1 Output
Išvesties Srovė:	9.8 A
Maitinimo Įtampa - Min.:	3 V
Maksimali Maitinimo Įtampa:	15 V
Kilimo Laikas:	8.3 ns
Rudens laikas:	5 ns
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Jautrus drėgmei:	Yes
Gaminio tipas:	Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	PMIC - Power Management ICs
Prekinis pavadinimas:	EiceDRIVER
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	1EDB9275F SP005354185

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

1EDB9275FXUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Vokietija

Šalis gali keistis siuntimo metu.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs

Infineon Technologies 1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs are the crucial link between control ICs, powerful MOSFET, and GaN switching devices. These gate driver ICs enable high system-level efficiencies, excellent power density, and consistent system robustness.