IKW20N65ET7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW20N65ET7XKSA1
IKW20N65ET7XKSA1

Gam.:

Aprašymas:
IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 166

Turime sandėlyje:
166 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,02 € 3,02 €
1,65 € 16,50 €
1,35 € 135,00 €
1,04 € 499,20 €
1,02 € 1 224,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.35 V
- 20 V, 20 V
40 A
136 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 T7
Tube
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė: 100 nA
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 240
Subkategorija: IGBTs
Prekinis pavadinimas: TRENCHSTOP
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IKW20N65ET7 SP005348286
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low VCEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.