Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

FF900R12ME7PB11BPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7PB11B
Price: 224.05 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-FF900R12ME7PB11B

Mfr. #:

FF900R12ME7PB11BPSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module

Duomenų Lapas:

FF900R12ME7PB11BPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies FF900R12ME7PB11BPSA1

Prieinamumas: 10

Turime sandėlyje:: 10 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	224,05 €	224,05 €
	190,95 €	2 291,40 €
102	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	Igbt Moduliai
Gaminys:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.5 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	900 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	100 nA
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gaminio tipas:	IGBT Modules
Serija:	Trenchstop IGBT7
Gamyklinės pakuotės kiekis:	6
Subkategorija:	IGBTs
Technologijos:	Si
Prekinis pavadinimas:	TRENCHSTOP ~ EconoDUAL
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	FF900R12ME7P_B11 SP005349909

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FF900R12ME7PB11BPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable-speed drives. If only half of all industrial drives had electric speed control, 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

EasyPIM™ IGBT Module

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT Module is a 3-phase input rectifier PIM IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, emitter controlled 7 diode, and NTC/PressFIT technology. This module features enhanced controllability of dv/dt, improved FWD softness, optimized switching losses, and 8µs short-circuit robustness. The EasyPIM (Power Integrated Module) is very small in size that helps in attaining higher power density. This module lowers system cost and losses to meet energy efficiency requirements. Typical applications include auxiliary inverters, air conditioning, servo motor, and Heating Ventilation and Air Conditioning (HVAC).

1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.